特許

J-GLOBAL ID：200903083466732174

同期型半導体記憶装置

発明者： 東保 充洋 ,  佐藤 一
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 山中 郁生 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-335603
公開番号（公開出願番号）：特開2002-140891
出願日： 2000年11月02日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】【課題】 製造ばらつきに影響されることなく、リフレッシュ時間の調整前に多大な特性測定のための試験時間を要することもなく、リフレッシュ保持特性時間に最適なリフレッシュ周期を提供し、リフレッシュ動作における消費電流の低減を図ることができる同期型半導体記憶装置を提供すること。【解決手段】 DLL回路11の位相比較信号であるアクティブポインタ回路11Cの出力信号POI0乃至POInをデジタル信号として出力し、D/Aコンバータ回路により定電流回路の電流値を決定するVOSCp/VOSCnのアナログ信号(電圧値)に変換した後、定電流回路を構成する計測周期変更回路12AにてVOSCp/VOSCnの電圧値応じた電流値をリフレッシュ周期計測回路12Bである発振回路の駆動電流として駆動能力を制御することにより、セルフリフレッシュ用の発振信号SELF-OSCを出力する。

請求項（抜粋）：

周期的にメモリセルのリフレッシュを必要とする同期型半導体記憶装置において、外部基本クロックの周波数を検出する検出手段と、前記検出手段より出力される周波数検出信号に基づきリフレッシュ周期を制御する周期制御手段とを備えることを特徴とする同期型半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/406 ,  G11C 11/407

FI (4件)：

G11C 11/34 363 N ,  G11C 11/34 354 C ,  G11C 11/34 362 S ,  G11C 11/34 363 L

Fターム (5件)：

5B024AA01 ,  5B024BA21 ,  5B024BA29 ,  5B024CA07 ,  5B024DA08

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-332661   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (1件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-332661   出願人：松下電器産業株式会社