特許
J-GLOBAL ID：200903050204188982
半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-332661
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210074
出願日： 2000年10月31日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：
【要約】【課題】 高速なランダムアクセスを実現しながら、内部で自動的に且つ効率的にリフレッシュ動作を行って、見掛け上はリフレッシュ動作が不要な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 外部からメモリセルに対する読み出し動作又は書き込む動作を指示する外部コマンド/RE、/WTの入力がない場合にはAND回路201の出力信号は活性化される。AND回路202は、前記AND回路201の出力信号と、内部で独自にリフレッシュ動作が可能であることを示す内部リフレッシュ信号INTREFとの論理積を取る。AND回路202の出力信号REFENが自動リフレッシュ動作の基準信号となる。従って、リフレッシュ動作は、外部コマンドの空き時間を利用して自動的に行われ、外部コマンドの入力によって停止する。
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルを持つメモリセルアレイと、外部から前記メモリセルに対するアクセスを要求するコマンドの入力の有無を検出するコマンド検出手段と、前記コマンド検出手段により前記コマンドの入力無しが検出されたとき、前記メモリセルのリフレッシュ動作を自動で行う自動リフレッシュ手段とを備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 11/406
, G11C 11/407
G11C 11/34 363 J
, G11C 11/34 354 C
, G11C 11/34 362 S
, G11C 11/34 363 N
5B024AA01
, 5B024AA15
, 5B024BA01
, 5B024BA20
, 5B024BA23
, 5B024CA07
, 5B024CA11
, 5B024CA15
, 5B024DA01
, 5B024DA08
, 5B024DA10
, 5B024DA14
, 5B024DA18
