特許

J-GLOBAL ID：200903083471602203

新規メソポーラス炭素構造体の製造法

発明者： 王 正明 ,  星野尾 恭美子 ,  大井 健太
出願人/特許権者： 独立行政法人 科学技術振興機構 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (1件)： 佐伯 憲生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-381293
公開番号（公開出願番号）：特開2004-210583
出願日： 2002年12月27日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：

【課題】本発明は、グラファイトを酸化して得たグラファイト酸化物の層間をソフト化学的な手法により処理し、より温和の条件下で高炭素収率のメソポーラス的な炭素構造体を合成することを目的とするものである。【解決手段】本発明は、多孔質グラファイト複合材料を、不活性雰囲気中で高温で炭化処理し、次いで当該多孔質グラファイト複合材料中の金属酸化物又は半金属酸化物を溶出する処理をすることを特徴とするメソポーラス炭素構造体を製造する方法、及び当該方法により製造されたメソポーラス炭素構造体に関する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

多孔質グラファイト複合材料を、不活性雰囲気中で高温で炭化処理し、次いで当該多孔質グラファイト複合材料中の金属酸化物又は半金属酸化物を溶出する処理をすることを特徴とするメソポーラス炭素構造体を製造する方法。

IPC (3件)：

C01B31/02 ,  B01J20/20 ,  B01J20/28

FI (3件)：

C01B31/02 101Z ,  B01J20/20 D ,  B01J20/28 Z

Fターム (34件)：

4G066AA04B ,  4G066AA20D ,  4G066AA22D ,  4G066AA23D ,  4G066AA27D ,  4G066BA23 ,  4G066BA26 ,  4G066CA10 ,  4G066CA20 ,  4G066CA56 ,  4G066FA22 ,  4G066FA34 ,  4G066FA38 ,  4G146AA01 ,  4G146AB01 ,  4G146AC05A ,  4G146AC05B ,  4G146AC06A ,  4G146AC06B ,  4G146AC07A ,  4G146AC08A ,  4G146AC08B ,  4G146AC09A ,  4G146AC09B ,  4G146AC10A ,  4G146AC10B ,  4G146AD21 ,  4G146AD31 ,  4G146BA02 ,  4G146BB11 ,  4G146BC03 ,  4G146BC33A ,  4G146BC33B ,  4G146CA11