特許
J-GLOBAL ID：200903083475239855
半導体レーザ装置およびこれを用いた光通信システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-091219
公開番号（公開出願番号）：特開平11-112096
出願日： 1998年04月03日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 広い温度範囲にわたって低しきい値電流および高スロープ効率特性を有する半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 n型GaAs基板1上にn型GaAs バッファ層2、n型In0.5Ga0.5Pクラッド層15、n型GaAs光閉じこめ層4、活性層5、p型GaAs光閉じこめ層6、p型 In0.5Ga0.5Pクラッド層16が積層されている。n型クラッド層3、n型光閉じ込め層、活性層5、p型光閉じ込め層、p型クラッド層を含む積層構造はエッチングにより共振器方向にストライプ状に伸びたメサ状に形成されている。活性層はGaAs障壁層11とInNAsP井戸層12から形成されており、発振波長が1.3μm近傍となるようにInNAsP井戸層12の組成比並びに層厚が設定されている。このような構成とすることにより、GaAs障壁層11とInNAsP井戸層12の伝導帯側のバンドオフセットを200meV以上とし、周囲温度の上昇に対して電子の閉じ込めが十分に行われ、特性が劣化しない。
請求項（抜粋）：
GaAs基板と前記GaAs基板上に形成された積層構造とを具備する半導体レーザ装置であって、前記積層構造は、発光のための活性層を含んでおり、前記活性層は、前記GaAs基板に格子整合するInN<SB>x</SB>As<SB>y</SB>P<SB>1-x-y</SB>(0<x<1、0≦y<1)層を含んでいる半導体レーザ装置。
引用特許：
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