特許

J-GLOBAL ID：200903040008944315

半導体レーザおよび該半導体レーザを用いた光通信システム

発明者： 近藤 正彦 ,  北谷 健 ,  中塚 慎一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  技術研究組合新情報処理開発機構
代理人 (1件)： 磯村 雅俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-304414
公開番号（公開出願番号）：特開平10-145003
出願日： 1996年11月15日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】 長波長帯半導体レーザにおいて、電子と正孔の閉じ込めエネルギーを十分に確保したまま、量子井戸活性層の歪を軽減することにより、高性能な半導体レーザを提供すること。【解決手段】 活性層7を量子井戸構造とし、井戸層6にGaInNAs等の窒素系5族混晶半導体を用い、障壁層(光ガイド層)4,5に伸張歪の半導体を用いる。伸張歪の半導体は、GaNAsまたはGaNPAsであることが好ましい。井戸層と障壁層との両方に窒素系5族混晶半導体を用いることで、電子と正孔の閉じ込めエネルギーを共に十分に確保できる。また、井戸層と障壁層とで応力補償することにより、量子井戸活性層の各層の歪と全体の歪を共に低減できる。これにより、高性能な半導体レーザを提供することが可能になる。1はGaAs基板、3,8,10はクラッド層、14,15は電極。

請求項（抜粋）：

GaAs基板結晶上に光を発生する活性層と、光を閉じ込めるクラッド層(またはスペーサ層)と、発生した光からレーザ光を得るための共振器構造を有する半導体レーザにおいて、上記活性層が井戸層と障壁層とで構成される量子井戸構造であり、井戸層と障壁層の歪の種類が異なる応力補償型壁であり、井戸層に窒素系5族混晶半導体を用いることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 33/00 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-296210   出願人：株式会社日立製作所
• 歪量子井戸半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-353406   出願人：古河電気工業株式会社, 光技術研究開発株式会社