特許

J-GLOBAL ID：200903083502244432

酸化物半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 齊藤 肇 ,  川崎 雅司
出願人/特許権者： シャープ株式会社 ,  川崎 雅司
代理人 (3件)： 山崎 宏 ,  前田 厚司 ,  仲倉 幸典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-160910
公開番号（公開出願番号）：特開2004-363382
出願日： 2003年06月05日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：

【課題】発光効率と信頼性を向上出来る酸化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】本体100は、n型ZnO単結晶基板101、n型Mg0.1Zn0.9Oクラッド層102、ノンドープ量子井戸発光層103、p型Mg0.1Zn0.9Oクラッド層104、p型ZnOコンタクト層105およびp型オーミック電極106を有する。本体100の上面上にはMn添加Zn2SiO4蛍光体109を堆積している。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ZnO系半導体から成る本体と、 上記本体の上面と上記本体の側面とから成る主表面の少なくとも一部を被覆する蛍光体と、 上記本体の上面上に形成された電極とを備えたことを特徴とする酸化物半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 D

Fターム (13件)：

5F041AA03 ,  5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA41 ,  5F041CA55 ,  5F041CA57 ,  5F041CA66 ,  5F041CA83 ,  5F041CA87 ,  5F041CA88 ,  5F041DA44 ,  5F041EE25

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-286326   出願人：シャープ株式会社
• ZnO系酸化物半導体層の成長方法およびそれを用いた半導体発光素子の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-256727   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, ローム株式会社
• 発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-291782   出願人：豊田合成株式会社
• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-177969   出願人：豊田合成株式会社