特許

J-GLOBAL ID：200903034356200885

ZnO系酸化物半導体層の成長方法およびそれを用いた半導体発光素子の製法

発明者： 岩田 拡也 ,  ポール・フォンス ,  山田 昭政 ,  松原 浩司 ,  仁木 栄 ,  中原 健
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  ローム株式会社
代理人 (2件)： 河村 洌 ,  河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-256727
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076025
出願日： 2000年08月28日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 ZnO系酸化物半導体を結晶性よく成長し、残留キャリア濃度の低いZnO系酸化物半導体層を成長すると共に、発光効率の優れた発光ダイオードやレーザダイオードなどの半導体発光素子を提供する。【解決手段】 サファイア基板などからなる基板を、MBE装置にセッティングし、目的とするZnO系酸化物半導体層の成長温度より低温度に昇温する(S1)。そして、ラジカル酸素を含む材料源を基板に照射することによりZnO系酸化物半導体からなるバッファ層を成長する(S2)。ついで酸素ラジカルの照射を止め、酸素が基板表面のバッファ層に影響しないようにし(S3)、目的とするZnO系酸化物半導体の成長温度まで基板温度を上昇させる(S4)。その後、ラジカル酸素を含む材料源を照射することによりZnO系酸化物半導体を順次成長する(S5)。

請求項（抜粋）：

基板上に目的とするZnO系酸化物半導体層の成長温度より低温で酸素を含む材料源を供給することによりZnO系酸化物半導体からなるバッファ層を成長し、ついで酸素の供給を止めてから目的とするZnO系酸化物半導体の成長温度まで基板温度を上昇させ、その後酸素を含む材料源を供給することによりZnO系酸化物半導体を成長することを特徴とするZnO系酸化物半導体層の成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/363 ,  H01L 21/365 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/347

FI (4件)：

H01L 21/363 ,  H01L 21/365 ,  H01L 33/00 D ,  H01S 5/347

Fターム (32件)：

5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA66 ,  5F041CA88 ,  5F041FF01 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB22 ,  5F045AB40 ,  5F045AC11 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53 ,  5F045EE18 ,  5F073CA22 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA06 ,  5F073DA35 ,  5F103AA04 ,  5F103DD30 ,  5F103LL01 ,  5F103NN01 ,  5F103NN05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-351051   出願人：スタンレー電気株式会社
• ZnO結晶の成長方法、ZnO結晶構造及びそれを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-245220   出願人：スタンレー電気株式会社, 八百隆文
• ZnO結晶、その成長方法および光半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-102973   出願人：スタンレー電気株式会社