特許

J-GLOBAL ID：200903083503889941

化学的気相成長法用原料とこれを用いて製造したビスマス層状化合物とその製法

発明者： 網 隆明 ,  広中 克行 ,  磯辺 千春 ,  杉山 正隆 ,  磯部 雅朗
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-081442
公開番号（公開出願番号）：特開平8-277197
出願日： 1995年04月06日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【目的】 従来とは異なるCVDソース原料と、この原料を用いて製造した、書き換えによる劣化が少なく、清浄度の高い、強誘電性メモリ材料として適したビスマス層状化合物と、その製造方法とを提供する。【構成】 単分子中にタンタルTaもしくはニオブNbと、アルカリ土類金属とを、2:1の原子比率で含有するアルコキシド原料よりなる化学的気相成長法用原料。

請求項（抜粋）：

単分子中にタンタルもしくはニオブとアルカリ土類金属とを2:1の原子比率で含有するアルコキシド原料よりなることを特徴とする化学的気相成長法用原料。

IPC (6件)：

C30B 29/30 ,  C01G 33/00 ,  C01G 35/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/316

FI (8件)：

C30B 29/30 A ,  C30B 29/30 B ,  C30B 29/30 C ,  C01G 33/00 A ,  C01G 35/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/316 X

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特公平2-051848
  
• 化学気相堆積装置及び化学気相堆積方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-092539   出願人：株式会社村田製作所