特許
J-GLOBAL ID：200903083509978652
αタンタル膜の製造方法、αタンタル膜及びそれを用いた素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西澤 均
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-375765
公開番号（公開出願番号）：特開2001-335919
出願日： 2000年12月11日
公開日（公表日）： 2001年12月07日
要約：
【要約】【課題】 低比抵抗のαタンタル膜を、製造コストの増大を抑制しつつ、効率よく製造することが可能なαタンタル膜の製造方法及び該製造方法により製造されるタンタル膜及び該タンタル膜を用いてなる素子を提供する。【解決手段】 窒素雰囲気中で、基材上にαタンタル又は窒化タンタルからなる下地膜を成膜した後、(a)窒素を含有しない雰囲気中で、前記下地膜上にタンタル膜を成膜する方法、(b)前記下地膜形成工程とは窒素含有率の異なる窒素雰囲気中でタンタル膜を成膜する方法、(c)窒素とタンタルの比を変化させてタンタル膜を成膜する方法、(d)基板に到達する窒素とタンタルの比を変化させてタンタル膜を成膜する方法、のいずれかの方法により、下地膜上にαタンタル膜を成長させる。
請求項（抜粋）：
所定の窒素雰囲気中で、基材上にαタンタル又は窒化タンタルからなる下地膜を成膜する下地膜形成工程と、前記下地膜形成工程の後に、(a)窒素を含有しない雰囲気中で、前記下地膜上にタンタル膜を成膜する方法、(b)前記下地膜形成工程とは窒素含有率の異なる窒素雰囲気中でタンタル膜を成膜する方法、(c)窒素とタンタルの比を変化させてタンタル膜を成膜する方法、(d)基板に到達する窒素とタンタルの比を変化させてタンタル膜を成膜する方法、のいずれかの方法により、前記下地膜上にαタンタル膜を成長させることにより、αタンタル膜からなる上部膜(上部αタンタル膜)を形成する上部膜形成工程とを具備することを特徴とするαタンタル膜の製造方法。
IPC (3件)：
C23C 14/14
, H01L 21/203
, H01L 21/28 301
C23C 14/14 D
, H01L 21/203 S
, H01L 21/28 301 R
4K029BA16
, 4K029BA58
, 4K029BB02
, 4K029BB07
, 4K029BD01
, 4K029CA03
, 4K029CA04
, 4K029CA05
, 4K029DC03
, 4K029EA01
, 4K029EA03
, 4K029EA05
, 4M104BB17
, 4M104BB32
, 4M104BB37
, 4M104DD34
, 4M104DD37
, 4M104DD41
, 4M104FF13
, 4M104HH16
, 5F103AA08
, 5F103DD28
, 5F103DD30
, 5F103NN06
