特許
J-GLOBAL ID：200903083519855281
振動型ジャイロセンサ素子の製造方法及び離調度調整方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
小池 晃
, 田村 榮一
, 伊賀 誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-050357
公開番号（公開出願番号）：特開2005-241382
出願日： 2004年02月25日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：
【課題】 超小型の振動型ジャイロセンサ素子の離調度調整を実現する。【解決手段】 反応性イオンエッチング、乾式等方性イオンエッチング又は結晶異方性エッチングにより、単結晶シリコン基板1から形成された振動子11の下部電極4a、圧電薄膜5a、上部電極6a,6b,6cが形成された面以外を研削することで、所望の離調度とする。【選択図】 図35
請求項（抜粋）：
下部電極、圧電薄膜、上部電極を有する片持ち梁形状の振動子を備え、上記圧電薄膜の圧電効果を利用して角速度を検出する振動型ジャイロセンサ素子の製造方法において、
一方主面及び他方主面の面方位が{100}である単結晶シリコン基板の一方主面上に、{110}面に対して平行又は垂直な直線で構成された第1の開口部を有する第1の保護膜パターンを形成し、上記第1の開口部に対して上記振動子の厚みとなるまで結晶異方性エッチングを行い、
上記振動子の厚みとなるまで結晶異方性エッチングされた上記一方主面に対向する上記他方主面上の上記振動子となる領域に、上記下部電極、上記圧電薄膜、上記上部電極を順に積層して形成し、
上記下部電極、上記圧電薄膜、上記上部電極が形成された上記他方主面上に、上記{110}面に対して平行又は垂直な直線で構成され、上記振動子を上記片持ち梁形状とする空隙を型取った第2の開口部を有する第2の保護膜パターンを形成し、上記第2の開口部に対して反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)を行うことで、上記振動子を形成し、
エッチングにより、上記単結晶シリコン基板から形成された上記振動子の上記下部電極、上記圧電薄膜、上記上部電極が形成された面以外を研削することで、所望の離調度とすること
を特徴とする振動型ジャイロセンサ素子の製造方法。
但し、“{ }”は、方向が異なる等価な面方位を総称して表すための記号である。
IPC (6件)：
G01C19/56
, G01P9/04
, H01L41/08
, H01L41/18
, H01L41/187
, H01L41/22
G01C19/56
, G01P9/04
, H01L41/08 Z
, H01L41/18 101A
, H01L41/18 101D
, H01L41/18 101Z
, H01L41/22 Z
2F105AA02
, 2F105AA08
, 2F105AA10
, 2F105BB13
, 2F105BB14
, 2F105BB15
, 2F105CC04
, 2F105CD02
, 2F105CD06
