特許
J-GLOBAL ID:200903083525498164
原料またはガスの供給装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
石田 敬 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-301013
公開番号(公開出願番号):特開平8-157296
出願日: 1994年12月05日
公開日(公表日): 1996年06月18日
要約:
【要約】【目的】 本発明は原料またはガスの供給装置に関し、複雑な構造のノズルでも接ガス部を均一に加熱または冷却でき、また、系の熱非平衡性が大きい条件でもノズル温度の変動を制御できる原料またはガスの供給装置を実現することを目的とする。【構成】 原料ガスまたは蒸気あるいは処理用ガスを基板に供給する装置において、接ガス部の裏面に液体または気体の熱交換媒体2を接触させるように構成する。
請求項(抜粋):
原料ガスまたは蒸気あるいは処理用ガスを基板に供給する装置において、接ガス部の裏面に液体または気体の熱交換媒体(2)を接触させることを特徴とする原料またはガスの供給装置。
IPC (4件):
C30B 25/14
, F28F 27/00 511
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
引用特許:
審査官引用 (4件)
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CVD装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-145335
出願人:株式会社日立製作所
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特開平4-349196
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薄膜形成装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-245565
出願人:松下電器産業株式会社
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