増幅型固体撮像装置およびその駆動方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-290775
公開番号（公開出願番号）：特開2000-201299
出願日： 1999年10月13日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：

【要約】【課題】画素内増幅トランジスタのしきい値電圧のばらつきを補償する。【解決手段】第1の電位状態(リセット状態)から入射光量に応じた第2の電位状態へ遷移し得るフォトダイオードをもつ画素を備えている。単位補償回路は、各々MOSキャパシタで構成された第1および第2蓄積素子35,41を備えている。第1蓄積素子35は、画素の第2の電位状態に対応する信号電位φsと基準電位φ0との差に比例した量の電荷を蓄積する。第2蓄積素子41は、固定電位φdと基準電位φ0との差に比例した量の電荷を蓄積する。画素からリセット電位φrが供給された際に両蓄積素子を短絡させ、それによって電位差(φs-φr)に比例した量の電荷を両蓄積素子間で移動させる。両蓄積素子を電気的に分離した後、第2蓄積素子41に残る電荷の量から電位差(φs-φr)を検知し、出力する。

請求項（抜粋）：

リセット動作に応じた第1の電位状態から光の強度に応じた第2の電位状態に遷移する光電変換部と、前記光電変換部の前記第1の電位状態と前記第2の電位状態とを検知し、それぞれ第1の信号と第2の信号とを出力するための増幅素子と、前記増幅素子からの前記第1の信号および前記第2の信号を得て、第3の信号を出力する補償回路とを備えた増幅型固体撮像装置であって、前記補償回路は、第1電極と第2電極とを有するMOS型キャパシタで構成された第1蓄積素子と、第1電極と第2電極とを有する他のMOS型キャパシタで構成された第2蓄積素子と、前記第2蓄積素子の第1電極に固定電位を与えるための手段と、前記第1蓄積素子の第2電極と前記第2蓄積素子の第2電極との間を断接するためのスイッチング素子と、前記第2の信号に応じた信号電位を前記第1蓄積素子の第1電極に与えるための手段と、前記第1蓄積素子の第2電極と前記第2蓄積素子の第2電極とに同じ基準電位を与えるように、前記第1蓄積素子の第2電極および前記第2蓄積素子の第2電極に電荷を供給するための電荷供給手段と、前記信号電位に代えて前記第1の信号に応じたリセット電位を前記第1蓄積素子の第1電極に与えるための手段と、前記第1蓄積素子の第1電極に前記リセット電位が、前記第2蓄積素子の第1電極に前記固定電位がそれぞれ与えられている状態で、前記第1蓄積素子の第2電極と前記第2蓄積素子の第2電極との間で電荷の移動が生じて前記第1蓄積素子の第2電極の電位と前記第2蓄積素子の第2電極の電位とが等しくなるように、前記スイッチング素子を導通させるための手段と、前記電荷の移動が生じた後に前記スイッチング素子が非導通にされた状態で、前記第2蓄積素子に蓄積された電荷の量に応じた前記第3の信号を出力するための手段とを備えたことを特徴とする増幅型固体撮像装置。

IPC (2件)：

H04N 5/335 , H01L 27/146

FI (2件)：

H04N 5/335 E , H01L 27/14 A

引用特許：

出願人引用 (10件)

特開昭48-078888
特開昭63-076583
特開平2-107075

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