高周波複合回路基板

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-268284
公開番号（公開出願番号）：特開平11-112110
出願日： 1997年10月01日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】低背化でき、共振用電極間の間隔を十分に確保して高Q及び低損失の共振器を基板のキャビティ内の任意の位置に配置可能とする。【解決手段】多層セラミック基板の主面に回路素子2を収容する凹部1が形成され、該凹部1内にセラミックからなる共振器ブロック3を設置し、共振器ブロック3には第1の接地電極3aが内蔵され、共振器ブロック3下方の多層セラミック基板本体には、第1の接地電極3aに対応する共振用電極3bと共振用電極3bの下部に配置された第2の接地電極3dとが設けられ、共振用電極3bと第1,第2の接地電極3a,3dによりストリップライン型共振器が構成されている。

請求項（抜粋）：

多層セラミック基板の主面に回路素子を収容する凹部が形成され、該凹部内にセラミックからなる共振器ブロックを設置し、該共振器ブロックには第1の接地電極が内蔵され、前記共振器ブロック下方の多層セラミック基板本体には、前記第1の接地電極に対応する共振用電極と該共振用電極の下部に配置された第2の接地電極とが設けられていることを特徴とする高周波複合回路基板。

IPC (5件)：

H05K 1/02 , H01L 23/522 , H05K 1/18 , H05K 3/46 , H05K 9/00

FI (6件)：

H05K 1/02 C , H05K 1/02 N , H05K 1/18 Q , H05K 3/46 Q , H05K 9/00 R , H01L 23/52 B

引用特許：

出願人引用 (2件)

高周波回路用モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-064019 出願人：三洋電機株式会社
電圧制御発振器
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-068530 出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (2件)

高周波回路用モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-064019 出願人：三洋電機株式会社
電圧制御発振器
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-068530 出願人：松下電器産業株式会社

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