薄膜加工方法と薄膜半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松隈秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-207161
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153625
出願日： 1996年08月06日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：

【要約】【課題】製造工程の簡略化、信頼性の向上をはかる。【解決手段】下地面上に選択的にレジストパターンを形成する第1工程と、下地面およびレジストパターンの表面に薄膜を形成する第2工程と、レジストパターンを除去してこの上の上記薄膜を選択的に除去する第3の工程とを採って薄膜加工を行う。

請求項（抜粋）：

下地面上に選択的にレジストパターンを形成する第1工程と、上記下地面および上記レジストパターンの表面に薄膜を形成する第2工程と、上記レジストパターンを除去してこの上の上記薄膜を選択的に除去する第3の工程とを採ることを特徴とする薄膜加工方法。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 616 L , H01L 29/78 617 U , H01L 29/78 627 E , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 627 C

引用特許：

出願人引用 (6件)

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審査官引用 (6件)

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