特許

J-GLOBAL ID：200903083576278665

半導体記憶装置

発明者： 松下 裕一
出願人/特許権者： 株式会社沖マイクロデザイン宮崎 ,  沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 柿本 恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-033245
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234373
出願日： 1992年02月20日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】 昇圧信号を電源として使用している回路ブロックの動作速度を速くしてアクセス速度の向上を図る。【構成】 電源電圧VCCを印加すると、発振器101が動作して第1のチャージポンプ回路110により、昇圧信号φbが常時昇圧される。デコード信号φ2によって回路ブロック30が動作し、該回路ブロック30内に流れる貫通電流等により、φbのレベルが低下すると、φ2によって第2のチャージポンプ回路120が動作し、φbのレベル低下が急速に補充される。

請求項（抜粋）：

電源電圧が印加され該電源電圧以上のレベルの昇圧信号を生成する昇圧回路と、前記昇圧信号が電源用として印加され、タイミング信号によって動作が制御される回路ブロックとを、備えた半導体記憶装置において、前記昇圧回路は、前記電源電圧が印加され、発振器の出力に基づいて前記昇圧信号を常時昇圧する第1のチャージポンプ回路と、前記電源電圧が印加され、前記回路ブロックの動作時に生じる前記昇圧信号のレベル低下分だけ前記タイミング信号に基づいて前記昇圧信号を昇圧する第2のチャージポンプ回路とを、備えたことを特徴とする半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-195992
  
• 半導体メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-298831   出願人：三星電子株式会社