特許
J-GLOBAL ID：200903083594155732
高分子電解質膜用パーフルオロポリエーテルゴム組成物及びイオン導電性高分子電解質膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-298447
公開番号（公開出願番号）：特開2008-115236
出願日： 2006年11月02日
公開日（公表日）： 2008年05月22日
要約：
【解決手段】(A)高分子の主鎖骨格が、 -(Rf-O)q-(Rfはパーフルオロアルキレン基、qは1〜500。)で示される1分子中にアルケニル基を2個以上含有するアルケニル基含有パーフルオロポリエーテル、(B)エポキシ基を持つオルガノオキシシランと酸化によりスルホン酸基に変換可能な硫黄原子含有基を持つオルガノオキシシランに対し、同時に酸化と加水分解を行い、上記硫黄原子含有基をスルホン酸基に変換させて得られたスルホン酸基含有シロキサンを含窒素化合物で中和した、イオン導電性を有する珪素-酸素架橋構造体、(C)パーオキサイドからなる架橋剤を含有する高分子電解質膜用パーフルオロポリエーテルゴム組成物。【効果】本発明の組成物により、イオン導電性に優れ、製造が容易で低コストであり、強度に優れ、耐熱性が高いゴム弾性を有するイオン導電性高分子電解質膜が得られる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(A)高分子の主鎖骨格が、下記一般式(1)
-(Rf-O)q- (1)
IPC (9件)：
C08L 71/02
, H01M 8/10
, H01M 8/02
, H01B 1/06
, C25B 13/08
, C08L 83/08
, C08K 5/14
, C08J 5/22
, G01N 27/333
C08L71/02
, H01M8/10
, H01M8/02 P
, H01B1/06 A
, C25B13/08 302
, C08L83/08
, C08K5/14
, C08J5/22 101
, C08J5/22
, G01N27/30 331C
4F071AA51
, 4F071AA67
, 4F071AC08
, 4F071AF37
, 4F071AF42
, 4F071AG05
, 4F071AH15
, 4F071FA05
, 4F071FB01
, 4F071FC01
, 4F071FD02
, 4J002CH021
, 4J002CP102
, 4J002EK036
, 4J002EK046
, 4J002EK056
, 4J002GQ02
, 5G301CD01
, 5G301CE01
, 5H026AA06
, 5H026BB00
, 5H026BB01
, 5H026BB02
, 5H026BB10
, 5H026CX08
, 5H026EE19
, 5H026HH05
, 5H026HH08
