特許

J-GLOBAL ID：200903083594408355

半導体集積回路

発明者： 丹野 雅明 ,  竹田 忠雄 ,  海野 秀之 ,  伴 弘司 ,  逸見 学 ,  下山 展弘
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-053233
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244414
出願日： 2000年02月29日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：

【要約】【課題】 損傷検出センサの数を増すことなく、微少な損傷を高感度に検知可能とする。【解決手段】 導電性遮蔽膜2の形状を櫛状(つづら折り状)の微細線パタンとする。すなわち、その間隔を密として対向する線部2-1〜2-nを有する連続した1本の微細線パタンとする。これにより、「W1+W2+W1(=0.75μm)」以上の口径の微少面積の排除行為に対し、唯一つの損傷検出センサ15を用いて、必ず導電性遮蔽膜2の損傷を検知することができる。

請求項（抜粋）：

導電性遮蔽膜と、この導電性遮蔽膜より下方に設けられた記憶素子と、前記導電性遮蔽膜の損傷を検出する損傷検出手段と、この損傷検出手段によって導電性遮蔽膜の損傷が検出された場合、前記記憶素子に格納されている記憶情報を書き換える記憶情報書換手段とを備え、前記導電性遮蔽膜の形状がその間隔を密として対向する複数の線部を有する連続した1本の微細線パタンとされていることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/82

FI (2件)：

H01L 27/04 T ,  H01L 21/82 T

Fターム (11件)：

5F038AZ07 ,  5F038CA05 ,  5F038CA07 ,  5F038DF05 ,  5F038DT12 ,  5F038DT18 ,  5F038EZ20 ,  5F064BB33 ,  5F064BB35 ,  5F064DD39 ,  5F064DD48

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-204252   出願人：株式会社東芝
• IC集積回路用保護回路
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-581520   出願人：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト, シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト