特許
J-GLOBAL ID:200903083627945742
結晶引上げ機械のるつぼの回転装置及び方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
青山 葆 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-144110
公開番号(公開出願番号):特開平8-337494
出願日: 1996年06月06日
公開日(公表日): 1996年12月24日
要約:
【要約】【課題】 望む酸素濃度及び酸素勾配を有する半導体結晶を得るチョクラルスキー法を応用した装置及び方法を提供すること。【解決手段】 溶融物を収納したるつぼ;このるつぼ内溶融物から半導体結晶を引上げる機構;このるつぼに接続したモータ;このるつぼを変速回転させるための駆動制御回路;及び連続的な変速信号を発生する信号発生器;以上を含んで成り、上記制御回路は上記信号発生器に応答して、上記るつぼの回転速度を連続的に変化する信号に基づいて加速の連続的な変更及び回転速度の連続的な変更下に前記モーターを駆動し、他方結晶引上げ機構は半導体結晶の少なくとも1個所を該るつぼ内の溶融物から引上げるようにした装置。本開示はまたこの装置を用いた引上げ方法に関する。
請求項(抜粋):
チョクラルスキー法による半導体結晶引上げ装置で、この装置は:溶融物を収納したるつぼ;該るつぼ内の溶融物から半導体結晶を引上げる機構;該るつぼに接続したモータ;該るつぼを変速回転させるための駆動制御回路;及び連続的な変速信号を発生する信号発生器;以上を含んで成り、上記制御回路は上記信号発生器に応答して、当該るつぼの回転速度を連続的に変化する信号に基づいて加速の連続的な変更及び回転速度の連続的な変更下に前記モータを駆動し、他方上記結晶引上げ機構は半導体結晶の少なくとも1個所を該るつぼ内の溶融物から引上げるようにした装置。
IPC (3件):
C30B 15/30
, C30B 29/06 502
, H01L 21/208
FI (3件):
C30B 15/30
, C30B 29/06 502 H
, H01L 21/208 P
引用特許:
審査官引用 (9件)
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単結晶育成方法及び装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-045288
出願人:住友シチックス株式会社, 住友シチックス株式会社
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特開昭62-230694
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特開平3-109287
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特開平3-164495
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特開平3-005394
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特開昭57-135796
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単結晶シリコン棒の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-038474
出願人:信越半導体株式会社
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特開昭57-027996
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特開平3-137090
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