特許
J-GLOBAL ID:200903083633589745
酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-112502
公開番号(公開出願番号):特開2007-284740
出願日: 2006年04月14日
公開日(公表日): 2007年11月01日
要約:
【課題】酸化亜鉛を基体とする低抵抗率の透明導電膜を、真空装置を用いた成膜方法により安定に製造する方法を提供する。【解決手段】亜鉛と酸素からなる透明導電膜、又は、酸化亜鉛と、Al、Ga、In、Bから選ばれる少なくとも1種の添加元素からなる透明導電膜を、スパッタリング法や真空蒸着法等により、真空装置内で150°Cを超える基板上に形成後、基板温度を150°C以下まで冷却した後に取り出すことにより、安定して低抵抗率の酸化亜鉛系透明導電膜を形成することができる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
亜鉛と酸素からなる透明導電膜を真空装置内で150°Cを超える基板上に形成後、基板温度を150°C以下まで冷却した後に取り出すことを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法。
IPC (2件):
FI (2件):
C23C14/08 C
, H01B13/00 503B
Fターム (12件):
4K029AA09
, 4K029BA49
, 4K029BC09
, 4K029CA02
, 4K029CA03
, 4K029CA05
, 4K029DC05
, 4K029DC09
, 4K029EA08
, 5G323BA02
, 5G323BB05
, 5G323BC03
引用特許:
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