特許

J-GLOBAL ID：200903083633811359

ナノチューブ・マトリクス物質の形成方法

発明者： シルバーブルック キア
出願人/特許権者： シルバーブルック キア
代理人 (1件)： 相田 伸二 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-537800
公開番号（公開出願番号）：特表2002-507494
出願日： 1999年03月24日
公開日（公表日）： 2002年03月12日
要約：

【要約】制御された方法によりナノチューブ・マトリクス物質を構築する方法では、ナノチューブ断片は少なくとも2つの位置エネルギー結合面を有し、それらは、ナノチューブ断片を結合させるために使用される。該結合面は、水素結合による結合位置エネルギー及び共有結合による第2のより低い結合位置エネルギーからなる2つの異なるレベルを有する。前記方法は次のステップにより構成される。(a)ナノチューブ断片の溶液を集める。(b)水素結合は分離するが、共有結合の特性を変化させるに十分ではない温度に該溶液を加熱する。(c)前記溶液を攪拌し、水素結合が安定する温度までゆっくりと温度を下げて(アニール化して)、好ましい形態を生成する。(d)前記溶液に試薬を加え、環閉鎖を生じさせる。(e)形成されたナノチューブ・マトリクス物質の精製及び脱水素のための触媒要素を導入する。

請求項（抜粋）：

中間物から構造体を構築する方法であって、前記中間物は、少なくとも2つの位置エネルギー結合面表を含んでおり、各表面は、別の対応する中間物と結合するための少なくとも2つのレベルの結合位置エネルギーを有しており、前記結合エネルギーは、第1の中間結合位置エネルギーと第2のより低い結合位置エネルギーとを含んでおり、 (a)中間物を突き合わせる際に、1連の中間物を集め、 (b)前記突き合わされる中間物を、前記中間結合エネルギーを超える平均エネルギーまで攪拌し、 (c)前記平均エネルギーを、実質的に前記第1の中間結合位置エネルギーのレベルまでゆっくりと低下させ、 (d)触媒要素を前記突き合わされる中間物に導入することにより、実質的に前記第2のより低い位置エネルギーにおいて前記中間物の結合を生じさせて、前記構造体を構成する、 上記ステップにより構成した方法。

IPC (5件)：

B82B 3/00 ,  B82B 1/00 ,  C01B 31/02 101 ,  H01C 7/00 ,  H01L 29/06

FI (5件)：

B82B 3/00 ,  B82B 1/00 ,  C01B 31/02 101 F ,  H01C 7/00 C ,  H01L 29/06

Fターム (3件)：

4G046CB08 ,  4G046CC08 ,  5E033AA10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 数珠状高分子とその構成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-056696   出願人：日本電気株式会社
• 2つの材料の直接接合方法及び材料直接接合装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-287648   出願人：日本電装株式会社
• 電子部品およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-266412   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開昭62-186938