特許
J-GLOBAL ID：200903083697848027
共鳴トンネル型フオトトランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-194375
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041534
出願日： 1991年08月02日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：
【要約】【目的】高い光ゲインを有する共鳴トンネル型フォトトランジスタを提供すること。【構成】共鳴トンネル型フォトトランジスタは、n型InP基板1上に、n型InGaAsバッファ層2、n型InGaAsコレクタ層3、p型InGaAsベース層4、n型InAlAsエミッタ層5を順次積層した構造を有し、さらに前記n型InGaAsバッファ層2とn型InGaAsコレクタ層3の間に、共鳴トンネル型負性抵抗素子となるInGaAs層とAlAsSb層とを交互に積層した少なくとも一つ以上の量子井戸を有する多重量子井戸(MQW)層9を具備している。
請求項（抜粋）：
第1の導電型を有する基板上に、第1の導電型を有する第1の半導体層、コレクタ層となる第1の導電型を有する第2の半導体層、ベースとなる第2の導電型を有する第3の半導体層、エミッタとなる第1の導電型を有する第4の半導体層を順次積層した構造の共鳴トンネル型フォトトランジスタに於いて、前記第1の半導体層と第2の半導体層の間に、共鳴トンネル型負性抵抗素子となる第5の半導体層と第6の半導体層とを交互に積層した少なくとも一つ以上の量子井戸を有する量子井戸構造層を具備することを特徴とする共鳴トンネル型フォトトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 31/10
, H01L 29/06
, H01S 3/18
