特許
J-GLOBAL ID：200903083713193753
散乱型近接場光プローブ製造方法および散乱型近接場光プローブ製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
鹿島 義雄
, 甲斐 寛人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-146695
公開番号（公開出願番号）：特開2006-322830
出願日： 2005年05月19日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：
【課題】 100nmよりも小さなサイズの散乱体をプローブ尖端部に固定することができる散乱型近接場光プローブの製造方法を提供する。【解決手段】 プローブ尖端部11を含むプローブ本体12に第一の金属材料からなる金属薄膜13を形成し、第二の金属材料で形成された対向電極41をプローブ尖端部11に対向するように配置し、第一の金属材料については溶解せず第二の金属材料については溶解する金属溶解液Lをプローブ尖端部11と対向電極41との双方に接触し、プローブ本体12の金属薄膜13と対向電極41との間に電圧を印加することにより、対向電極41から第二の金属材料を溶解させるとともに、プローブ尖端部11に第二の金属材料からなる散乱体を析出させる【選択図】図2
請求項（抜粋）：
プローブ尖端部に固定された散乱体に励起光を照射することにより近接場光を発生する散乱型近接場光プローブの製造方法であって、
(a)プローブ尖端部を含むプローブ本体に第一の金属材料からなる金属薄膜を形成し、
(b)散乱体に用いられる第二の金属材料で形成された対向電極をプローブ尖端部に対向するように配置し、
(c)第一の金属材料については溶解せず第二の金属材料については溶解する金属溶解液をプローブ尖端部と対向電極との双方に接触し、
(d)プローブ本体の金属薄膜と対向電極との間に電圧を印加することにより、対向電極から第二の金属材料を溶解させるとともに、プローブ尖端部に第二の金属材料からなる散乱体を析出させることを特徴とする散乱型近接場光プローブの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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