特許

J-GLOBAL ID：200903026721724829

近接場プローブおよび近接場プローブ製造方法

発明者： 富永 淳二 ,  中野 隆志 ,  阿刀田 伸史 ,  藤 寛 ,  鈴木 良政
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  オリンパス光学工業株式会社 ,  シャープ株式会社
代理人 (2件)： 鈴江 武彦 ,  鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-348123
公開番号（公開出願番号）：特開2002-148174
出願日： 2000年11月15日
公開日（公表日）： 2002年05月22日
要約：

【要約】【課題】背景光の発生が少ない近接場プローブを提供する。【解決手段】近接場プローブ10は、支持部12から延びる片持ちのレバー部14を有し、レバー部14は先端に探針16を有している。レバー部14は例えば窒化シリコン膜22と散乱体形成薄膜24とから成り、散乱体形成薄膜24は探針16の先端に位置する部分に球状の散乱体26を含んでいる。近接場プローブ10は、一般に市場から入手可能なSiN製のAFMカンチレバーの探針の表面に散乱体形成薄膜24を被覆し、探針16の先端に焦点を結ぶようにレーザー光やイオンビーム等の活性光を探針16の軸線上から照射して作製され、活性光の照射により散乱体形成薄膜24の内部に散乱体26が形成される。散乱体形成薄膜24は例えばZnS-SiO2/Ag2O/ZnS-SiO2の多層膜である。

請求項（抜粋）：

近接場顕微鏡または近接場光記録装置に用いられるプローブであり、上記プローブの先端および側面が熱的に非線型応答を示す物質で被覆されており、上記被覆は先端部分において、熱的に化学反応を起こすことにより形成された散乱体を有することを特徴とする近接場プローブ。

IPC (3件)：

G01N 13/14 ,  G01B 11/30 ,  G01N 13/10

FI (3件)：

G01N 13/14 B ,  G01B 11/30 Z ,  G01N 13/10 G

Fターム (6件)：

2F065AA25 ,  2F065AA49 ,  2F065DD04 ,  2F065FF01 ,  2F065PP24 ,  2F065UU07

引用特許：

審査官引用 (4件)

• フォトン走査トンネル顕微鏡用ピックアップ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-038585   出願人：シャープ株式会社
• 走査型近接場光学顕微鏡用のカンチレバー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-143277   出願人：オリンパス光学工業株式会社
• 走査型近接場光学顕微鏡用探針及び走査型近接場光学顕微鏡
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-122196   出願人：オリンパス光学工業株式会社
• 部材の先端部に金属微粒子を生成して固定する方法およびその装置ならびにプローブ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-261197   出願人：理化学研究所

引用文献：

審査官引用 (1件)

• スーパーレンズの原理と最近の研究状況について