特許

J-GLOBAL ID：200903083718599146

堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法

発明者： 橋爪 淳一郎 ,  植田 重教 ,  土田 伸史
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-114407
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316150
出願日： 1995年05月12日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 電子写真感光体の特性ムラを抑え、膜剥がれ,傷の耐久性を向上させる。【構成】 中空柱状の堆積室1111内に、長方形状又は柱状の基体1112を設置し、該堆積室内に導入された、少なくともシリコン原子を含んだ原料ガスを高周波電力により分解し、該基体上に少なくともシリコン原子を母材とする非結晶質材料を堆積せしめる堆積膜形成装置において、前記基体を所望の温度に設定する基体加熱手段1113の発熱量が、基体の長さ方向のいずれか一方の端部側又は両方の端部側で多く、中央部で少なくなるように設定し、基体の長さ方向に温度勾配を持たせた。

請求項（抜粋）：

上面又は/及び下面側に排気系と接続するための排気口を備えた中空柱状の堆積室内に、該中空柱状の堆積室の長さ方向と堆積面の長さ方向が略平行となるように長方形状又は柱状の基体を設置し、該堆積室内に導入された、少なくともシリコン原子を含んだ原料ガスを高周波電力により分解し、該基体上に少なくともシリコン原子を母材とする非結晶質材料を堆積せしめる堆積膜形成装置において、前記基体を所望の温度に設定する基体加熱手段の発熱量が、基体の長さ方向のいずれか一方の端部側又は両方の端部側で多く、中央部で少なくなるように設定し、基体の長さ方向に温度勾配を持たせたことを特徴とする堆積膜形成装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  G03G 5/08 360

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  G03G 5/08 360

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 超短波を用いたプラズマCVD法及び該プラズマCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-051776   出願人：キヤノン株式会社
• ガス処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-352053   出願人：株式会社日立製作所, 日立電子エンジニアリング株式会社