特許

J-GLOBAL ID：200903083725127624

半導体装置の製造方法

発明者： 福田 憲司 ,  荒井 和雄 ,  趙 元珠 ,  小杉 亮治 ,  鈴木 誠二
出願人/特許権者： 経済産業省産業技術総合研究所長 ,  科学技術振興事業団 ,  三洋電機株式会社
代理人 (2件)： 福田 賢三 (外2名) ,  福田 賢三 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-166320
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345320
出願日： 2000年06月02日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】【課題】半導体上に化学的気相成長方法で形成した酸化珪素膜の膜質を向上させることにより、二酸化珪素と半導体との界面における界面準位密度の低い良好な界面を形成することを目的としている。【解決手段】シリコンカーバイドやダイヤモンドなどの半導体基板上に化学的気相成長方法で酸化珪素膜を形成し、その酸化珪素膜のついた半導体基板を不活性ガス中で1100°C〜1400°Cの温度範囲で30分間以上にわたり熱処理した後、その熱処理された半導体基板に電極を形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に化学的気相成長方法で酸化珪素膜を形成する手続きと、その酸化珪素膜のついた半導体基板を不活性ガス中で1100°C乃至1400°Cの温度範囲で30分間以上にわたり熱処理をする手続きと、その熱処理された半導体基板に電極を形成する手続きと、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/316 P ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 B

Fターム (21件)：

5F040DC01 ,  5F040DC02 ,  5F040DC03 ,  5F040DC10 ,  5F040EC01 ,  5F040EC07 ,  5F040EC10 ,  5F040EC13 ,  5F040ED00 ,  5F058BA01 ,  5F058BA20 ,  5F058BB01 ,  5F058BC02 ,  5F058BF03 ,  5F058BF04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BH02 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-105848
  
• 特開平4-294540