特許
J-GLOBAL ID:200903083730781170

ガス スクラバ-及びそれを利用したガス処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 平田 忠雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-339821
公開番号(公開出願番号):特開平10-263357
出願日: 1997年12月10日
公開日(公表日): 1998年10月06日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 半導体デバイス製造工程中に発生される有害成分が含まれたガスを効果的に浄化できるだけでなく、ガスの有害性成分を除去できるガススクラバー及びそれを利用したガス処理方法を提供する。【解決手段】 バ-ニング装置で、ガスの発火性有害成分が燃焼られることによって、1次的に浄化され、連結管を通じて吸着装置に導かれる。その間に未燃焼有害成分は冷却及び吸着によって2次的に浄化される。また、吸着装置はガスを吸着して物理的及び化学的に処理するための復数の触媒吸着材層が提供され、ガス分配機によって下部の触媒吸着材層から上部の触媒吸着材層へ順次的に通過することにより最終的に浄化される。
請求項(抜粋):
四角形状を持ち、一側部にドアを持つキャビネットと;半導体ヂバイス製造工程中発生するガスが供給され、供給されたガスの圧力を測定するための第1の圧力ゲ-ジが設置された誘導管と;前記誘導管と連結さるように前記キャビネット内に設置され、前記誘導管を通じて供給されたガスを燃焼させるためのバ-ニング装置と;バ-ニング装置で未燃焼されたガスの成分を吸着して、吸着られた成分を物理的及び化学的に処理するための吸着装置と;パイプを通じて前記吸着装置に連結され、前記吸着装置から排出られるガスの圧力を測定するための第2の圧力ゲ-ジが設置される排気管と;前記バ-ニング装置から前記吸着装置又は前記排気管へガスを選択的に供給すための手段と;その発火性有害成分が燃焼られたガスが前記バ-ニング装置から前記吸着装置へ供給られる間ガスを冷却させるように、バ-ニング装置の周囲に提供される冷却手段とを含むことを特徴とするガススクラバ-。
IPC (6件):
B01D 53/34 ZAB ,  B01D 53/81 ZAB ,  B01D 53/46 ,  B01D 53/87 ZAB ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31
FI (5件):
B01D 53/34 ZAB A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 B ,  B01D 53/34 120 A ,  B01D 53/36 ZAB B
引用特許:
審査官引用 (15件)
  • 排ガス処理装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-294651   出願人:テイサン株式会社
  • 特開昭64-053412
  • 特開昭53-144466
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