特許
J-GLOBAL ID：200903083742531102
AlGaInAs系多重量子井戸を有する半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寒川 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-313165
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172241
出願日： 1994年12月16日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：
【要約】【目的】 多重量子井戸を発光層とし、発光帯域が1.3〜1.65μmである半導体発光素子の微分利得を向上する改良である。【構成】 量子井戸層とAlInAsまたはAlGaInAsまたはAlGaInAsPよりなるバリヤ層とよりなる多重量子井戸を発光層とする半導体発光素子において、量子井戸層のそれぞれの厚さは6nm以下であり、量子井戸層の厚さの積算値は13〜1000nmである半導体発光素子である。
請求項（抜粋）：
半導体発光素子において、量子井戸層とAlInAsまたはAlGaInAsまたはAlGaInAsPよりなるバリヤ層とよりなり、面内圧縮歪が印加されている多重歪量子井戸を発光層とする半導体発光素子において、前記量子井戸層のそれぞれの厚さは6nm以下であり、前記量子井戸層の厚さの積算値は13〜1000nmであることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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