特許
J-GLOBAL ID：200903083756332510
半導体装置の容量素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-100953
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289286
出願日： 1996年04月23日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：
【要約】【課題】 微小な単位容量素子の容量値の相対比精度があまり良好でなかった。【解決手段】 容量素子として用いないダミーの単位容量素子102cを単位容量素子102a、単位容量素子102bの周囲に配置する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、2つ以上の単位容量素子がアレイ状に配置されてなる半導体装置の容量素子であって、容量素子として用いないダミーの単位容量素子がこれら単位容量素子の最外周に配置されていることを特徴とする半導体装置の容量素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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