特許
J-GLOBAL ID:200903083763637067
マトリクス回路駆動装置およびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
杉村 次郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-317996
公開番号(公開出願番号):特開平6-148686
出願日: 1992年11月04日
公開日(公表日): 1994年05月27日
要約:
【要約】【目的】 装置自体を小型化する。【構成】 液晶表示用薄膜トランジスタでは半導体薄膜21の下側にゲート電極12を設け、駆動回路用薄膜トランジスタでは半導体薄膜22の上側にゲート電極24を設けている。そして、両半導体薄膜21、22を当初アモルファスシリコン薄膜15、16によって形成し、ガラス基板11の下面側からゲート電極12をレーザ遮光層としてエキシマレーザを照射すると、半導体薄膜21のチャネル領域21aが結晶化せず、半導体薄膜22の全部が結晶化する。すなわち、半導体薄膜21にエキシマレーザを照射しても、そのチャネル領域21aをアモルファスシリコン薄膜としてそのまま残すことができ、このため液晶表示用薄膜トランジスタ形成領域と駆動回路用薄膜トランジスタ形成領域とを可及的に近づけても何ら問題がなく、したがって装置自体を小型化することができる。
請求項(抜粋):
透明基板上にマトリクス回路部と該マトリクス回路部を駆動する駆動回路部とを設けたマトリクス回路駆動装置において、前記マトリクス回路部をチャネル領域がアモルファスシリコンからなる薄膜トランジスタによって構成し、かつ前記駆動回路部をポリシリコンからなる薄膜トランジスタによって構成したことを特徴とするマトリクス回路駆動装置。
IPC (2件):
G02F 1/136 500
, H01L 29/784
FI (2件):
H01L 29/78 311 H
, H01L 29/78 311 A
引用特許:
審査官引用 (3件)
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特開平1-192173
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特開昭62-073659
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半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-073037
出願人:富士ゼロックス株式会社
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