特許
J-GLOBAL ID:200903083764787852
きのこの人工培養基及びそれを用いたきのこの人工栽培方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-317464
公開番号(公開出願番号):特開2002-119133
出願日: 2000年10月18日
公開日(公表日): 2002年04月23日
要約:
【要約】【課題】 きのこを高収率で得ることが可能となるきのこの人工培養基及びそれを用いたきのこの人工栽培方法を提供すること。【解決手段】 SiO2:20〜80%、MgO:10〜70%、Al2O3:0〜60%で、ガラス化率が50%以上のケイ酸マグネシウム及び/又はアルミノケイ酸マグネシウム、さらに、これと硫酸塩とを含有してなるきのこの人工培養基、該人工培養基を用いてなるきのこの人工栽培方法を構成とする。
請求項(抜粋):
SiO220〜80%、MgO10〜70%、及びAl2O30〜60%の化学組成で、ガラス化率が50%以上のケイ酸マグネシウム及び/又はアルミノケイ酸マグネシウムを含有してなるきのこの人工培養基。
Fターム (8件):
2B011BA06
, 2B011BA07
, 2B011BA09
, 2B011BA10
, 2B011BA13
, 2B011BA14
, 2B011GA04
, 2B011GA08
引用特許:
引用文献:
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