特許

J-GLOBAL ID：200903083789421011

窒化物半導体の結晶成長方法

発明者： 趙 晟煥 ,  奥村 元 ,  清水 三聡
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-203793
公開番号（公開出願番号）：特開2002-029896
出願日： 2000年07月05日
公開日（公表日）： 2002年01月29日
要約：

【要約】【課題】 結晶中の格子欠陥、転移、および界面の荒さ等を生じることなく、サファイア基板上にバッファ層および窒化物半導体結晶を成長させること。【解決手段】 本発明は、プラズマ法により生成し得た原子状窒素をサファイア基板上に照射することにより該サファイア基板表面上にAlN膜を形成するAlN膜成長方法であって、前記サファイア基板を200°C以下に保持して原子状窒素を照射することを特徴とするAlN膜(バッファ層)の成長方法に関する。さらに、本発明は、上記バッファ層を用いた窒化物半導体結晶の成長方法に関する。

請求項（抜粋）：

プラズマ法により生成した原子状窒素をサファイア基板上に照射することにより該サファイア基板表面上にAlN膜を形成するAlN膜成長方法であって、前記サファイア基板を200°C以下に保持して原子状窒素を照射することを特徴とするAlN膜の成長方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

C30B 29/38 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Fターム (28件)：

4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA66 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F045AA05 ,  5F045AA08 ,  5F045AB14 ,  5F045AC15 ,  5F045AD05 ,  5F045AD11 ,  5F045AE07 ,  5F045AE09 ,  5F045AF09 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045EH01 ,  5F045EM01 ,  5F045EM09 ,  5F045HA04