特許

J-GLOBAL ID：200903083797304237

固体撮像装置並びにその製造方法および駆動方法

発明者： 山田 徹
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-141884
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037262
出願日： 2002年05月16日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課題】 低スミア、低読み出し電圧および低暗電流を実現できる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 P-型ウェル領域302内にN型光電変換領域303が形成された固体撮像装置において、N型光電変換領域303上に第2層間絶縁膜314を介して遮光膜315および透明導電膜321を形成する。この遮光膜315および透明導電膜321にマイナス電圧を印加することにより、N型光電変換領域303の表層部にP++型反転領域329を形成する。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板内に形成された第2導電型光電変換領域と、前記第2導電型光電変換領域と隣接するように、前記基板内に形成された転送チャネル領域と、前記転送チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成された転送電極と、前記転送電極を被覆し、且つ、前記第2導電型光電変換領域の上方に開口を有する導電性遮光膜と、前記第2導電型光電変換領域上に層間絶縁膜を介して形成され、且つ、前記導電性遮光膜と電気的に接続された透明導電膜とを備えることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (3件)：

H01L 27/148 ,  H01L 27/14 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 B ,  H01L 27/14 D

Fターム (26件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118CA04 ,  4M118CA34 ,  4M118CB14 ,  4M118DA03 ,  4M118DB11 ,  4M118EA01 ,  4M118EA03 ,  4M118EA07 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118GB11 ,  4M118GB15 ,  4M118GC08 ,  4M118GD04 ,  5C024AX01 ,  5C024CX13 ,  5C024CX32 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GX06 ,  5C024GY25 ,  5C024GZ36

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-333282
  
• 固体撮像装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-247502   出願人：松下電子工業株式会社