特許
J-GLOBAL ID：200903083801787620
イオンプレーティング装置およびその装置による薄膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
飯阪 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-342451
公開番号（公開出願番号）：特開平10-158823
出願日： 1996年12月06日
公開日（公表日）： 1998年06月16日
要約：
【要約】【課題】 ホローカソード放電によって金属を蒸発させ、必要な場合には反応ガスを導入して基板上に薄膜を形成させるイオンプレーティング装置において、ホローカソードが消耗され難く長時間運転が可能であり、かつ基板温度を低く維持して薄膜形成が可能な装置を提供すること。【解決手段】 LaB6 円筒41を内層とし、有底のTaチューブ45を外層とするホローカソード17の外周側にグラファイトの有底円筒である保護カバー48を取り付けてイオンプレーティング装置10に組み込む。保護カバー48で覆われているのでホローカソード17は生成するイオンのスパッタ作用を受けないことから長時間の連続放電が可能であり、保護カバー48が断熱材として作用するのでガラス基板21は高温度になるホローカソード17の輻射熱から隔離され温度が低く維持される。
請求項（抜粋）：
真空槽内に、蒸発材料を収容するハースと、放電によって前記蒸発材料を蒸発させるホローカソード(中空陰極)と、必要な場合に設置される反応ガスの導入手段と、前記蒸発材料またはその化合物の薄膜を形成させるべき基板とからなるイオンプレーティング装置において、前記ホローカソードが高融点金属からなる外層と、LaB6 (硼化ランタン)からなる内層とによって円筒状に形成され、かつ前記ホローカソードの外周側に、スパッタ率が前記高融点金属よりも小さい材料による円筒状の保護カバーが取り付けられており、前記薄膜の形成時において、前記ホローカソードがイオン等のスパッタ作用から保護されることにより損傷されず長時間の連続放電が可能であり、更には前記保護カバーが断熱材となって、前記基板が高温度の前記ホローカソードの輻射熱から隔離されることにより、前記基板の温度が低く維持されることを特徴とするイオンプレーティング装置。
引用特許：
引用文献：
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