特許
J-GLOBAL ID：200903083805164695

カーボンの製造方法

発明者：
尾野 成樹

尾野 成樹 について


出願人/特許権者：
財団法人地球環境産業技術研究機構

財団法人地球環境産業技術研究機構 について

, 
株式会社島津製作所

株式会社島津製作所 について


代理人 (1件)： 野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-159353
公開番号（公開出願番号）：特開2000-344506
出願日： 1999年06月07日
公開日（公表日）： 2000年12月12日
要約：
【要約】【課題】 低温、常圧かつ低コストでナノパーティクルやナノカプセルを製造する。【解決手段】 ゾル-ゲル法により調製してシリカに坦持させた粒状のNi/SiO2(Niが50wt%)を触媒3として反応管1に充填し、電気炉7により触媒3を700°Cに加熱し、混合比が水素:二酸化炭素=2:1の混合ガスを反応管1内に流す。混合ガス中の二酸化炭素は触媒3に接触することにより接触水素還元され、触媒3から離れた位置にナノパーティクルが析出する。
請求項（抜粋）：
少なくとも二酸化炭素及び水素を含む混合ガスを450〜750°Cの反応温度にて遷移金属触媒に接触させ、二酸化炭素を接触水素還元することにより、ナノパーティクルを析出させることを特徴とするカーボンの製造方法。
IPC (4件)：
C01B 31/02 101 ,  H01M 4/58 ,  A61K 31/00 635 ,  A61K 33/24
FI (4件)：
C01B 31/02 101 F ,  H01M 4/58 ,  A61K 31/00 635 ,  A61K 33/24
Fターム (17件)：
4C086AA01 ,  4C086HA06 ,  4C086MA37 ,  4C086NA20 ,  4C086ZB26 ,  4G046CA01 ,  4G046CB02 ,  4G046CB09 ,  4G046CC01 ,  4G046CC08 ,  5H003AA08 ,  5H003BA01 ,  5H003BA07 ,  5H003BB01 ,  5H003BC01 ,  5H003BD00 ,  5H003BD01
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • カーボンの製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-242786   出願人：株式会社島津製作所, 財団法人地球環境産業技術研究機構
  • グラファイト状炭素の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-233063   出願人：株式会社島津製作所, 財団法人地球環境産業技術研究機構

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