特許

J-GLOBAL ID：200903083813635028

基板処理装置

発明者： 加藤 努 ,  福田 正直
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-165388
公開番号（公開出願番号）：特開2009-004642
出願日： 2007年06月22日
公開日（公表日）： 2009年01月08日
要約：

【課題】ウエハ面内の膜厚均一性を向上させる。 【解決手段】アウタチューブ31内に円筒形状のインナチューブ38を、アウタチューブ31の下端部に突設した受け部31aにインナチューブ38の下端開口縁辺に突設した突出部38aを載置して同心円に配置する。インナチューブ38外周とアウタチューブ31内周との間には上下方向に連なる間隙39を形成する。インナチューブ38に形成した収容部40に複数のガス噴出口43を備えたガスノズル42を収容し、複数の排気孔41をガスノズル42に対向したインナチューブ38の位置に設ける。排気管35を間隙39よりも下側に設ける。各ウエハに対して水平フローを形成できるので、各ウエハの面内膜厚均一性を向上できる。間隙を通った後の処理ガスとインナチューブの開放端からの処理ガスとの両方を排気できるので、ガスの置換効率を向上ができる。 【選択図】図3

請求項（抜粋）：

少なくとも2種類の処理ガスを互いに混合しないように所定回数交互に繰り返して基板表面に供給して、前記基板表面に所定の薄膜を形成する基板処理装置であって、 アウタチューブと、 前記アウタチューブの内部に設置され、複数枚の基板が積層された状態で収容される少なくとも下端側が開放したインナチューブと、 前記複数枚の基板の積層方向に延在するように前記インナチューブの内部に立設され、複数のガス噴出口を備えたガスノズルと、 前記ガスノズルに対向した位置であって、前記インナチューブに設けられた複数の排気孔と、 前記インナチューブの開放端側に設けられた複数の突出部と、 前記アウタチューブに設けられた受け部と、 を備え、 前記インナチューブは、前記受け部に前記突出部を載置することにより、インナチューブ外壁表面とアウタチューブの内壁表面との間に上下方向に連なる間隙を形成した状態で、前記アウタチューブに対し支持され、 前記ガスノズルから供給された処理ガスを排気する排気口を前記インナチューブの開放端よりも下側に設けた基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44

FI (2件)：

H01L21/31 B ,  C23C16/44 B

Fターム (31件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030GA12 ,  4K030HA01 ,  4K030KA04 ,  4K030LA15 ,  5F045AA04 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045BB03 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045EE19 ,  5F045EF03 ,  5F045EG05 ,  5F045EK06

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-121069   出願人：国際電気株式会社
• 基板処理装置および基板処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-161167   出願人：株式会社日立国際電気, 菱沼孝夫