特許
J-GLOBAL ID：200903083821215801

窒化物半導体素子および窒化物半導体素子の製造方法

発明者：
山口 敦司

山口 敦司 について

, 
大嶽 浩隆

大嶽 浩隆 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (3件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫 ,  皆川 祐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-267270
公開番号（公開出願番号）：特開2009-117820
出願日： 2008年10月16日
公開日（公表日）： 2009年05月28日
要約：
【課題】絶縁破壊を抑制することができ、チップ面積の縮小化を実現することができる、窒化物半導体素子およびその製造方法を提供すること。【解決手段】この窒化物半導体素子は、n+型GaN基板1と、n-型GaN層2、p型GaN層3およびn+型GaN層4が順に積層されてなる窒化物半導体積層構造部5とを備えている。窒化物半導体積層構造部5には、トレンチ7が形成されている。トレンチ7の壁面8には、ゲート絶縁膜9を介してゲート電極10が形成されている。n+型GaN層4には、ソース電極15がオーミック接触している。また、n+型GaN基板1の他方表面には、ドレイン電極18がオーミック接触している。ゲート絶縁膜9のコンタクト開口16から露出するn-型GaN層2上には、ショットキー電極17が形成されている。ショットキー電極17は、n-型GaN層2に対してショットキー接触している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
III族窒化物半導体からなる、n型の第1層、この第1層に積層されたp型不純物を含む第2層およびこの第2層に積層されたn型の第3層を備え、前記第1、第2および第3層に跨る壁面を有する窒化物半導体積層構造部と、 前記壁面に、前記第1、第2および第3層に跨って形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜を挟んで前記第2層に対向するように形成されたゲート電極と、 前記第3層にオーミック接触するように形成されたソース電極と、 前記第1層にオーミック接触するように形成されたドレイン電極と、 前記第1層にショットキー接触するように形成されたショットキー電極と、を含む窒化物半導体素子。
IPC (6件)：
H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (7件)：
H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652F ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 657D ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/48 D ,  H01L29/48 F
Fターム (27件)：
4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB28 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD08 ,  4M104DD78 ,  4M104FF01 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH14
引用特許：
出願人引用 (1件)

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