特許
J-GLOBAL ID：200903083821847107
半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-138797
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349276
出願日： 1993年06月10日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【目的】半導体記憶装置に関し、高集積化を阻害することなく、読み出し動作の高速化を図ることを目的とする。【構成】トランジスタT24,T27,T29をコモンデータ線LDに直列に接続し、トランジスタT26,T28,T31をコモンデータ線バーLDに直列に接続して直流電流経路を形成している。トランジスタT29,T31のゲートをそのドレインに接続している。そして、データ読み出し時において、直流電流経路を流れる電流の多、少をセンスアンプ25Aに与える。
請求項（抜粋）：
メモリセル(C)からの読み出し信号をセンスアンプ(25A)の動作点近傍のレベルにシフトさせてセンスアンプ(25A)の入力端子に与えるレベルシフト回路(50)を備えた半導体記憶装置において、前記第1及び第2の端子と制御電極とを備え、メモリセル(C)からの読み出し信号を第1の端子に入力する第1のトランジスタ(T24,T26)と、前記第1のトランジスタ(T24,T26)の第2の端子と接地(VSS)との間に接続された複数のトランジスタ(T27,T28,T29,T31)とを備えてレベルシフト回路(50)を構成し、前記第1のトランジスタ(T24,T26)の第2の端子の出力をセンスアンプ(25A)の入力端子に入力するようにしたことを特徴とする半導体記憶装置。
引用特許：
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