特許
J-GLOBAL ID：200903083833983219
電界放射冷陰極の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-193696
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045231
出願日： 1995年07月28日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：
【要約】【目的】平面状の基板を用いることにより、従来の成膜、フォトリソグラフィー、エッチング等の技術、および装置が使用できるプロセスによって、電子放出領域を曲面形状とし、電子ビームの集束が可能な電界放射冷陰極の製造を可能にする。【構成】あらかじめ、平面状の上に電界放射冷陰極の構造を形成した後に、電子放出領域およびその周辺部の基板表面部に凹部を形成または、凹部を形成した基板上に移し、電界放射冷陰極を凹部へ向けて撓ませ、その状態で固定することにより、電子放出領域の表面を凹面とする。
請求項（抜粋）：
導電性基板、あるいは導電性または絶縁性基板上に導電層を積層し、その上に堆積した絶縁層と導電性のゲート層、およびその絶縁層とゲート層に形成した空洞内に設けられた、先端の先鋭な略円錐状のエミッタ電極から構成されてなる電界放射エミッタが、多数個配置された電子放射領域を有する電界放射冷陰極の製造方法において、平面状基板に電界放射冷陰極の構造を形成した後に、上記電子放出領域を撓ませ、その状態で固定することにより、電子放出領域の断面形状を曲面とすることを特徴とする電界放射冷陰極の製造方法。
IPC (3件)：
H01J 9/02
, H01J 1/30
, H01J 31/12
H01J 9/02 B
, H01J 1/30 B
, H01J 31/12 C
