電界放射型電子源およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西川惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-271524
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093406
出願日： 1999年09月27日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】表面の平坦性を向上した電界放射型電子源およびその製造方法を提供する。【解決手段】電界放射型電子源10は、ガラス基板よりなる絶縁性基板11の一表面上に形成された半導体層たるノンドープの多結晶シリコン層3に、酸化した多孔質多結晶シリコンよりなる強電界ドリフト領域6とn形多結晶シリコンよりなる導電性領域8とが面内方向に並んで所定距離だけ離間して形成されている。多結晶シリコン層3および絶縁分離領域9および導電性領域8それぞれの表面を覆うようにシリコン酸化膜よりなる絶縁層13がストライプ状に形成されている。導電性薄膜7は、強電界ドリフト領域6上および絶縁層13上に跨って形成されている。導電性領域8の所定部位上には、パッド電極18が配設され、導電性薄膜7上の所定部位上には、パッド電極17が配設されている。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板の一表面上に形成された半導体層に、酸化若しくは窒化した多孔質半導体よりなる強電界ドリフト領域と不純物をドーピングした半導体よりなる導電性領域とが面内方向に並んで形成され、強電界ドリフト領域上に導電性薄膜が形成され、導電性薄膜を導電性領域に対して正極として電圧を印加することにより導電性領域から注入された電子が強電界ドリフト領域をドリフトし導電性薄膜を通して放出されることを特徴とする電界放射型電子源。

IPC (3件)：

H01J 1/312 , H01J 1/30 , H01J 9/02

FI (3件)：

H01J 9/02 M , H01J 1/30 M , H01J 1/30 C

Fターム (4件)：

5C035AA01 , 5C035BB02 , 5C035BB03 , 5C035BB05

引用特許：

出願人引用 (2件)

冷電子放出表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-069602 出願人：パイオニア株式会社, 越田信義
MIS型冷陰極電子放出装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-147582 出願人：オリンパス光学工業株式会社

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