特許
J-GLOBAL ID:200903083860534523
成膜方法、有機EL素子及びその製造方法
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
高橋 敬四郎
, 来山 幹雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-196616
公開番号(公開出願番号):特開2005-032563
出願日: 2003年07月14日
公開日(公表日): 2005年02月03日
要約:
【課題】発光特性の良好な有機EL素子を提供する。【解決手段】基板上に第1の電極を形成する。第1の電極上に、少なくとも有機発光層とその上方に形成される、1族または2族の材料、またはそれらを含む合金もしくは化合物を含んで構成される厚さ10nm以下の層とを含む積層を形成する。厚さ10nm以下の層上に、光透過性の保護層を形成する。保護層上に酸化物を含む透明導電層である第2の電極を形成する。第2の電極を形成する工程において、保護層が厚さ10nm以下の層の劣化を軽減する。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
1族または2族の材料、またはそれらを含む合金もしくは化合物を含んで構成される厚さ10nm以下の膜上に保護膜を形成する工程と、
前記保護膜上に酸化物を含む膜を形成する工程と
を有し、
前記酸化物を含む膜を形成する工程において、前記保護膜が前記厚さ10nm以下の膜の劣化を軽減する成膜方法。
IPC (4件):
H05B33/22
, H05B33/10
, H05B33/14
, H05B33/28
FI (4件):
H05B33/22 A
, H05B33/10
, H05B33/14 A
, H05B33/28
Fターム (4件):
3K007AB11
, 3K007AB18
, 3K007DB03
, 3K007FA01
引用特許:
前のページに戻る