半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：則近憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-236258
公開番号（公開出願番号）：特開平8-102548
出願日： 1994年09月30日
公開日（公表日）： 1996年04月16日
要約：

【要約】【目的】光の取り出し効率を向上させ、光の吸収による損失を防ぐことによって半導体発光素子の外部量子効率を向上させる。【構成】n型GaAs基板10上に、InGaAlP系材料からなるn型クラッド層11、アンドープ活性層12、p型クラッド層13を成長形成し発光層14とする。この発光層14上に形成された、発光層14或いは基板10に対してプラスに格子不整格子、表面が粗面化された光散乱層16を有する半導体発光素子。

請求項（抜粋）：

基板と、この基板上に形成された半導体からなる発光層と、この発光層上に形成され前記発光層を構成する半導体に対してプラスに格子不整合した半導体からなり、表面が格子歪により粗面化されている光散乱層とを具備することを特徴とする半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-351646 出願人：株式会社東芝

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