特許

J-GLOBAL ID：200903083868599772

シリコンウェハのエッチング方法

発明者： 田中 浩 ,  阿部 吉次 ,  井上 和之
出願人/特許権者： 株式会社デンソー ,  株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 高橋 祥泰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-041240
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233482
出願日： 1998年02月06日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】 マイクロピラミッドの発生を抑制し,エッチング面をより平滑とすることができる,シリコンウェハのエッチング方法を提供すること。【解決手段】 アルカリ溶液よりなるエッチング液を用いてCZ法により作製されたシリコンウェハ1をエッチングするに当たり,上記アルカリ溶液にはMgを添加する。

請求項（抜粋）：

アルカリ溶液よりなるエッチング液を用いてチョコラルスキー法(以下,CZ法と省略する)により作製されたシリコンウェハをエッチングするに当たり,上記アルカリ溶液にはMgを添加することを特徴とするシリコンウェハのエッチング方法。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• エッチング液及びエッチング加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-190693   出願人：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所