特許
J-GLOBAL ID:200903083868888111
単層カーボンナノチューブの製造装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
西澤 利夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-198132
公開番号(公開出願番号):特開2005-350349
出願日: 2005年07月06日
公開日(公表日): 2005年12月22日
要約:
【課題】 単層カーボンナノチューブ構造体を簡便な装置手段によって高効率で、しかも品質に優れたものとして製造することのできる、改善された新しい製造装置を提供する。【解決手段】 レーザー蒸発による単層カーボンナノチューブの製造装置であって、少なくとも、反応容器と、反応容器内に設置される炭素ターゲット物質と、反応容器内に不活性ガスを導入するためのガス導入手段と、炭素ターゲット物質に照射するレーザを連続発振させるレーザ発振手段とを備えることを特徴とする単層カーボンナノチューブの製造装置とする。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
レーザー蒸発による単層カーボンナノチューブの製造装置であって、少なくとも、反応容器と、反応容器内に設置される炭素ターゲット物質と、反応容器内に不活性ガスを導入するためのガス導入手段と、炭素ターゲット物質に照射するレーザを連続発振させるレーザ発振手段とを備えることを特徴とする単層カーボンナノチューブの製造装置。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (20件):
4G146AA11
, 4G146AA12
, 4G146AB07
, 4G146AC03B
, 4G146AD21
, 4G146AD28
, 4G146AD35
, 4G146AD40
, 4G146BA02
, 4G146BC10
, 4G146BC15
, 4G146BC23
, 4G146BC27
, 4G146BC38A
, 4G146BC38B
, 4G146BC42
, 4G146BC44
, 4G146DA03
, 4G146DA40
, 4G146DA50
引用文献:
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