半導体素子の保護回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-077952
公開番号（公開出願番号）：特開2007-259533
出願日： 2006年03月22日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：

【課題】信頼性が高い半導体装置の保護回路を提供すること。【解決手段】本発明の半導体装置の保護回路は、一対の主端子と、該主端子対に流れる電流を制御する制御端子とを有する半導体素子の主端子対の電位が低い方の端子の電流を検出する電流検出手段と、前記半導体の制御端子の電圧を検出する電圧検出手段と、前記電流検出手段の出力信号と電圧検出手段の出力信号の両方の信号を入力し、電流検出手段の出力信号と電圧検出手段の出力信号の両方が予め定めた異常信号を示す場合に、異常信号を出力する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一対の主端子と、該主端子対に流れる電流を制御する制御端子とを有する半導体素子の主端子対の電位が低い方の端子の電流を検出する電流検出手段と、前記半導体の制御端子の電圧を検出する電圧検出手段と、前記電流検出手段の出力信号と電圧検出手段の出力信号の両方の信号を入力し、前記制御端子の電圧を制御する信号を出力する手段とを有することを特徴とする半導体装置の保護回路。

IPC (2件)：

H02H 7/20 , H02M 7/48

FI (2件)：

H02H7/20 D , H02M7/48 M

Fターム (15件)：

5G053AA01 , 5G053AA02 , 5G053BA01 , 5G053BA04 , 5G053CA01 , 5G053EB01 , 5G053EC03 , 5H007AA17 , 5H007CA01 , 5H007CB05 , 5H007DB01 , 5H007DC02 , 5H007FA03 , 5H007FA13 , 5H007FA18

引用特許：

出願人引用 (1件)

電力制御用半導体素子の保護装置及びそれを備えた電力変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-169715 出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (4件)

半導体回路及びパワートランジスタ保護回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-269846 出願人：三菱電機株式会社
電力変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-133727 出願人：株式会社日立製作所
特開昭57-129128

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