特許
J-GLOBAL ID：200903083882153680

炭素フィルムの製造方法およびそれから得られる炭素フィルム

発明者：
鵜原 賢治

鵜原 賢治 について


出願人/特許権者：
東レ・デュポン株式会社

東レ・デュポン株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 謙二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-363728
公開番号（公開出願番号）：特開2003-165715
出願日： 2001年11月29日
公開日（公表日）： 2003年06月10日
要約：
【要約】【課題】3つの工程を経ることにより好適な炭素フィルムを得る。即ち、(1)化学閉環法によりポリイミドフィルムを得る工程。(2)熱膨張係数の3次元的関係、ヤング率、平面性および等方性が改良するため、2軸延伸されたフィルムを提供する工程、(2)更に高温で非酸化性雰囲気下で炭素化する工程、を経ることにより高剛性、軽量かつ高熱伝導率性に優れた炭素フィルムおよびその製造方法および炭素フィルムを提供することを目的とするものである【解決手段】(1)化学閉環法によりイミド化しポリイミドフィルムを製造する工程。(2)少なくとも一部がイミド化したフィルムを2軸延伸する工程。(3)前記(1)および(2)の工程を経て、厚み方向熱膨張係数(CTEz)と面方向の熱膨張係数(CTEave)との比(CTEz/CTEave)が4以上であるポリイミドフィルムを温度500°C以上で不活性ガス又は真空中で炭素化して、比重が2.5以下、熱伝導率が400[Wm-1K-1]以上の炭素フィルムを形成する工程を含むことを特徴とする炭素フィルムの製造方法。
請求項（抜粋）：
(1)化学閉環法によりイミド化しポリイミドフィルムを製造する工程、(2)少なくとも1部がイミド化されたフィルムを2軸延伸する工程、(3)前記(1)および(2)の工程を経て、厚み方向熱膨張係数(CTEz)と面方向の熱膨張係数(CTEave)との比(CTEz/CTEave)が4以上であるポリイミドフィルムを温度500°C以上で不活性ガス又は真空中で炭素化して、比重が2.0以下、熱伝導率が400[Wm-1K-1]以上の炭素フィルムを形成する工程を含むことを特徴とする炭素フィルムの製造方法。
Fターム (3件)：
4G046CA04 ,  4G046CB03 ,  4G046CC01
引用特許：
審査官引用 (4件)
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