特許
J-GLOBAL ID：200903083889820932
半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-047572
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250716
出願日： 1995年03月07日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：
【要約】【目的】シリサイド膜の酸化を防止できるシリサイドプロセスを提供すること。【構成】シリコン基板11上にチタン膜17を形成する工程と、このチタン膜17上に窒化チタン保護膜18を形成する工程と、熱処理により、窒化チタン保護膜18とシリコン基板11とを反応させ、C54型の斜方結晶構造のチタンシリサイド膜19を形成する工程と、窒化チタン保護膜18を除去する工程とを有する。
請求項（抜粋）：
表面に半導体領域を有する基板の該半導体領域上に金属膜を形成する工程と、この金属膜上に保護膜を形成する工程と、熱処理により前記金属膜と前記半導体領域とを反応させ、前記金属膜の構成金属と前記半導体領域の構成半導体とからなる金属・半導体化合物膜を形成し、かつこの金属・半導体化合物膜の結晶構造または組成のうち、前記金属・半導体化合物の耐酸化性が最も高くなる結晶構造または組成になるように、前記熱処理を制御する工程と、前記保護膜を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/28 301
, H01L 29/43
H01L 29/78 301 S
, H01L 21/28 301 S
, H01L 29/46 S
, H01L 29/78 301 G
