特許

J-GLOBAL ID：200903083901407701

記憶装置

発明者： 庄田 智子 ,  吉田 啓彦 ,  大久保 京夫 ,  岸 正道 ,  門脇 茂 ,  嘉瀬 克元 ,  菊池 隆 ,  福田 宏 ,  片山 国広 ,  管野 利夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-201491
公開番号（公開出願番号）：特開平8-050643
出願日： 1994年08月03日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 平均的な消費電力を削減したフラッシュI/Oカード等の記憶装置を実現して、フラッシュI/Oカードを含むパーソナルコンピュータ等の平均的な消費電力を削減し、その動作電源となる電池の寿命を長くする。【構成】 電池動作可能なパーソナルコンピュータのハードディスクインタフェースに結合されるフラッシュI/Oカード等の記憶手段を、内部信号PDBがロウレベルとされることで選択的にディープパワーダウンモードとされるフラッシュメモリファイルFMFにより構成し、その制御手段を、内部信号STBBがロウレベルとされることで選択的にスタンバイモードとなるマイクロコンピュータMCにより構成するとともに、フラッシュI/Oカードに、所定期間を超えてシステム側からのアクセスがないとき内部信号PDB及びSTBBをアサートして自律的に低消費電力モードとなる機能を持たせる。

請求項（抜粋）：

記憶データの書き換えが可能な不揮発性の半導体メモリからなる記憶手段と、上記記憶手段に対する記憶データの書き換え又は読み出し動作を制御する制御手段とを具備し、所定期間を超えて上記記憶手段に対するアクセスがないとき自律的に低消費電力モードとなることを特徴とする記憶装置。

IPC (4件)：

G06K 19/07 ,  G06F 1/32 ,  G11C 16/06 ,  H01L 27/115

FI (4件)：

G06K 19/00 J ,  G06F 1/00 332 Z ,  G11C 17/00 309 D ,  H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体ファイルシステム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-175619   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社, 日立京葉エンジニアリング株式会社
• メモリ制御装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-315180   出願人：東京電気株式会社