特許
J-GLOBAL ID：200903083926524036
MEMSデバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
上柳 雅誉
, 宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-288366
公開番号（公開出願番号）：特開2008-105112
出願日： 2006年10月24日
公開日（公表日）： 2008年05月08日
要約：
【課題】MEMS構造体と半導体基板との間の寄生容量を低減させるMEMSデバイスを提供する。【解決手段】半導体基板10上に絶縁層40を介して形成された固定電極20と可動電極26とを有するMEMS構造体30が備えられたMEMSデバイスにおいて、固定電極20の下方の絶縁層40にSOG膜12を備えている。SOG膜12を形成することで容易に厚い絶縁層40を形成することができ、MEMS構造体30と半導体基板10の間の間隔が大きくなるため、この間に生ずる寄生容量を低下させることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁層を介して形成された固定電極と可動電極とを有するMEMS構造体が備えられたMEMSデバイスであって、
前記固定電極の下方の前記絶縁層にSOG膜を備えたことを特徴とするMEMSデバイス。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
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