フラッシュメモリ内蔵マイクロコンピュータ、およびプログラムを記録した記録媒体

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田澤博昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-337489
公開番号（公開出願番号）：特開平11-175501
出願日： 1997年12月08日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】アナログ電源電圧の値が、フラッシュメモリ内蔵マイクロコンピュータを作成するときのプロダクトパラメータの変動などに起因して、予め設計された値から変動してしまう可能性があった。【解決手段】アナログ電源電圧の調整用のプログラムに従って、CPU2は、A-D変換器7によりデジタルデータに変換されたアナログ電源電圧(VDEC,VDEC2,VAMP)に応じて、そのアナログ電源電圧の値が所望の値になるまで、アナログ電圧調整レジスタ28の値を変更する。そして、電圧発生回路31はアナログ電圧調整レジスタ28の値に応じてアナログ電源電圧を発生する。

請求項（抜粋）：

フローティングゲートを有するメモリセルを記憶素子としてデータを記憶するフラッシュメモリと、前記フラッシュメモリを駆動する駆動手段と、バスに接続されプログラムに従って前記データの処理を行う中央演算処理部とを備えるフラッシュメモリ内蔵マイクロコンピュータにおいて、前記フローティングゲートから電子を引き抜くときに前記メモリセルに印加する電圧を発生し、所定の出力端を介して前記駆動手段に供給する電圧発生手段と、一端がそれぞれ接地された所定のN個のコンデンサと、前記バスに接続され、それぞれ1ビットの値を記憶する前記N個のレジスタと、前記出力端と前記N個のコンデンサの残りの一端とにそれぞれ接続され、前記N個のレジスタの値に応じて前記N個のコンデンサの残りの一端を前記出力端にそれぞれ電気的に接続する前記N個の接続手段とを備えることを特徴とするフラッシュメモリ内蔵マイクロコンピュータ。

IPC (3件)：

G06F 15/78 510 , G06F 15/78 , G11C 16/04

FI (3件)：

G06F 15/78 510 P , G06F 15/78 510 A , G11C 17/00 621 C

引用特許：

出願人引用 (2件)

不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-077523 出願人：株式会社東芝
音声処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-084087 出願人：富士通テン株式会社

審査官引用 (2件)

不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-077523 出願人：株式会社東芝
音声処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-084087 出願人：富士通テン株式会社

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