特許

J-GLOBAL ID：200903083940409126

精密なワイドバンドギャップ半導体のエッチング

発明者： マイケル・イー・バースキー ,  ラジンダー・アール・サンデュ ,  マイケル・ウォジトヴィクツ
出願人/特許権者： ティーアールダブリュー・インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 社本 一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-400722
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250809
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】 GaN材料を精密にエッチングする方法であって、改良された表面の滑らかさを提供でき、そしてn-p-nGaN材料を選択的にエッチングしてGaNHBTを製造できる方法である。【解決手段】 電気化学的電池がアノード、カソード、及び電解液から成る電気化学的電池においてアノードとしてGaN材料を形成し、そして上記GaN材料のエッチングを引き起こすのに十分なレベルまで上記アノードとカソードの間にバイアスを印加することを含むGaN材料のエッチング方法。上記GaN材料のエッチング速度は上記バイアスレベルを変えることにより制御できる。上記電池はエッチングプロセスの均一性を与える予め選択されたレベルの紫外線を付加的に照射される。本発明はn-p-nGaN材料からGaNHBTをエッチングするのに特に有益である。

請求項（抜粋）：

アノード、カソード、及び電解液を含む電気化学的電池においてアノードとしてGaN材料を形成し、そして上記電池を形成して上記GaN材料のエッチングを引き起こす:ことを含むGaN材料のエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3063 ,  H01L 29/737 ,  H01L 21/331

FI (2件)：

H01L 21/306 L ,  H01L 29/72 H

引用特許：

審査官引用 (1件)

• GaN系半導体層のエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-055028   出願人：古河電気工業株式会社